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电容式差压传感器(专利产品)

　　电容式差压传感器，是以平行板式电容器为原理的传感器。我们采用悬浮式电容体，加外保护膜片充填绝缘介质结构。整体全焊接。在电容体设计、加工、充填介质等方面，有专利和独有技术，以保证产品品质。与国内外同类产品相比，占有技术、成本的绝对优势。现有几何规格供应市场，见图。

电器指标

　零点

　100PF％130PF

　满量程

　120PF～160PF

　非线性

　±0.5％F.S

　量程比

　10:1(最大)

　静压

　普通

　16MPa以下

　高静压

　40MPa(最大)

　温度漂移

　零点

　±4％/90℃(最大)
　满度 　14％/90℃(最大)

　加高静压后变差

　I.5％F.S(最大)

　温区

　-40℃～125℃

量程范围

　量程代号

　适应范围

　2E

　0-0.1～1.5ka

　3E

　0-1.3～7.5KPa

　4E

　0-6.2～37.4KPa

　5E

　0-31.1～186.8KPa

　6E

　0-117～690KPa

　7E

　0-345～2068KPa

　8E

　0-1170～6890KPa

　9E

　0-3480～20680KPa

 
扩散硅传感器
主要用于制造变送器，其中包括压力、绝对压力、差压(流量)、液位变送器及压力开关。
利用单晶硅的各向异性，在n型基底上，选择不同的晶向，扩散成P型电阻，组成惠斯顿电桥，利用P-n结实现各电阻之间的电隔离。在基底的非电阻面加工出一定几何形状的应力杯。当有压力作用于应力杯一面时，用恒压或恒流源激励的惠斯顿
桥输出一定的电压值。从而实现压力的感知。
硅杯必须实现良好的封装才能正常使用。我们将硅杯与传感器外壳实现悬浮静电/硬封结构，除绝对压力外，全部实现双蟆片隔离，双面充隔离介质，全焊接。.目的，实现正反面隔离介质受温度影响对称变化，即实现热膨胀互补。同时防止测量低温介质时的结露问题。从而实现了小型传感器高可靠性。

技术指标
使用温区: －55～80℃
线性误差: ±0.5％±0.2％:±0.1％F.S
零点输出: -1mV<V0<1mV
输出信号: ≥60mV～200mV
桥路阻值: 4.5Kn±500n
零点温漂: ≤0.05％/℃(F.S)
灵敏度温漂:≤0.05％/℃(F.S)
过量程上限:满量程的1.5倍
供 电: 1mA.DC
量程额定范围:0-1KPa至0-100MPa

机械尺寸
最大直径:42mm最大高度:最大高度:30mm
最小直径:19mm
最小高度:l0+引线长20mm
其它洋见使用说明书。